发明名称 Ion implantation device for manufacturing semiconductor
摘要 <p>본 발명은 이온 주입 장치에 관한 것으로서, 특히 일측에 형성된 개구부(22)를 통하여 이온빔(21)이 조사되는 진공 챔버(20)와, 상기 진공 챔버(20) 내에 회동 가능케 경사지게 설치된 제1구동모터(41)를 갖는 스캔축(40)과, 상기 스캔축(40)의 기울기를 변경시키는 스캔축 보정수단(50)과, 상기 제1구동모터(41)의 작동에 따라 승강되는 승강부재(42)에 결합되어 수평으로 전, 후진되는 수평 이송부재(64)를 갖는 수평보정수단(60)과, 상기 수평 이송부재(64)의 선단에 결합되어 수직으로 승강되는 수직 이송부재(74)를 갖는 수직보정수단(70) 및 상기 수직 이송부재(74)의 선단에 장착되어 웨이퍼(W)를 로딩 또는 언로딩하는 틸터(90)를 포함한다. 따라서, 본 발명에서는 웨이퍼의 크기 등에 따른 틸트각을 적절하게 변경시키는 것이 용이하며, 웨이퍼가 틸트각 만큼 경사진 스캔축을 따라서 승강 작동함으로써 웨이퍼가 최상측에 위치할 때의 상부 부분과 최하측에 위치할 때의 하부 부분과의 차이가 최소화되어 웨이퍼의 표면에 주입되는 이온의 분포가 균일하게 됨으로써 품질의 균일성이 향상된다.</p>
申请公布号 KR100298587(B1) 申请公布日期 2001.11.05
申请号 KR19990051880 申请日期 1999.11.22
申请人 null, null 发明人 서상일
分类号 C23C14/48;H01J37/317;H01L21/265;H01L21/68 主分类号 C23C14/48
代理机构 代理人
主权项
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