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<p>원자외 노광법에 의해 금속 배선층 형성을 위한 감광막 패턴을 형성할 경우 푸팅 현상을 방지함과 동시에 선폭 구현을 정확히 할 수 있도록 하기 위하여, 금속막이 형성된 웨이퍼를 다수의 증착 스테이션을 가지는 플라즈마 인핸스드 화학 기상 증착 배치 챔버에서 각 스테이션을 순차적으로 이동시키면서 플라즈마 인핸스드 화학 기상 증착에 의해 금속막 상부 전면에 비반사막인 SiON막을 증착한 후, 최종 스테이션에서만 플라즈마 인핸스드 화학 기상 증착에 의해 SiON막 상부 전면에 산화막을 증착하고, 산화막 상부 전면에 원자외 노광용 감광막을 증착한 다음 원자외 노광하고 현상하여 감광막 패턴을 형성한 후, 드러난 산화막, SiON막, 금속막을 식각 제거하여 반도체 소자의 금속 배선층을 형성하는 것으로, SiON막 상부에 산화막을 형성함으로써 SiON막 계면의 아민기와 감광막의 반응을 차단함으로써 감광막 패턴의 푸팅 현상을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 원자외 노광시 안정된 반사도를 얻을 수 있어 미세 패턴 형성시 균일한 선폭을 얻을 수 있으며 항상 일정한 회로 선폭을 구현할 수 있다.</p> |
