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<p>저항 특성이 우수한 코발트 실리사이드를 폴리사이드로 이용할 수 있는 반도체소자의 제조방법을 제공하기 위한 것으로써, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 반도체소자의 제조방법은 기판에 게이트절연막과 반도체층을 형성하는 공정과, 상기 반도체층의 일영역이 드러나도록 절연층을 형성하는 공정과, 상기 전면에 코발트 실리사이드층을 증착하는 공정과, 상기 절연층이 드러나도록 상기 코발트 실리사이드층을 제거하는 공정과, 상기 절연층을 제거하는 공정과, 상기 코발트 실리사이드층을 마스크로 상기 반도체층을 식각하는 공정을 포함함을 특징으로 한다.</p> |
