| 摘要 |
<p>플라즈마를 이용하여 반도체 웨이퍼 표면에 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 반도체 웨이퍼 식각방법 및 그 장치에 대하여 개시된다. 개시된 식각장치는 그 중심부위에 위치하는 내부전극과 그 엣지부위에 위치하는 링 형상의 외부전극으로 구성된 상부전극을 구비한다. 내부전극과 외부전극중 적어도 하나는 상하 이동이 가능하여, 웨이퍼의 중심부위와 엣지부위에서의 상부전극과 하부전극 사이의 간격을 각각 조절할 수 있게 된다. 그리고, 내부전극의 가스토출구를 통해 반응가스를 공급하기 위한 제1 가스공급라인과, 외부전극의 가스토출구를 통해 반응가스를 공급하기 위한 제2 가스공급라인이 구비되며, 제1 가스공급라인과 제2 가스공급라인에는 각각 별도의 유량조절기가 설치되어, 웨이퍼의 중심부위와 엣지부위에 공급되는 반응가스의 유량도 각각 조절할 수 있게 된다. 따라서, 웨이퍼의 부위별 식각률에 영향을 미치는 다수의 요소들을 복합적으로 제어할 수 있게 되므로, 공정 조건의 변화에 적절히 대처하여 웨이퍼 전체의 식각 균일성을 유지할 수 있게 된다.</p> |
