| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체소자의 BILLI 구조의 웰 형성방법에 관한 것으로서, 특히 이 방법은 소자 분리막이 형성된 기판내에 서로 인접하고 서로 다른 도전형 불순물이 주입된 제 1도전형 웰과 제 2도전형 웰을 형성되어 있으며 제 1도전형 웰 하부에 제 2도전형의 불순물이 주입된 매몰층을 갖는 BILLI 구조의 반도체소자의 제조 방법에 있어서, 상기 웰들과 매몰층을 위한 이온 주입을 실시한 후에 기판에 열처리 공정을 실시하되, 급속 열처리 공정을 단독으로 실시하거나 급속 열처리 공정과 퍼니스 열처리 공정을 순차 실시함으로써 고에너지 이온 주입(동일한 불순물에 의해 형성되는 매몰층과 웰)에 의해 기판 결함이 발생하더라도 불순물 확산 시간을 줄여서 결함 경로를 억제한다. 또한, 본 발명은 상기 이온 주입 공정시 요구되는 포토레지스트의 프로파일을 웨이퍼 기판 표면에 대해 수직 또는 수직 각도에서 30°이내의 경사 각도로 형성함으로써 반도체소자의 웰 사이의 오버랩 간격을 조정할 수 있어 웰 사이의 저항 크기를 줄이고 래치-업 특성을 방지할 수 있다.</p> |
