METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE CAPABLE OF IMPROVING ISOLATION CHARACTERISTICS
摘要
<p>본 발명은 반도체 기억 장치를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 필드 절연층(2', 2'')에 의해 둘러싸인 반도체 기판(1)의 비트 라인용의 제1 불순물 확산 영역들(8) 및 커패시터용의 제2 불순물 확산 영역들(8) 상에 형성된 절연층(9) 내에 복수개의 개구(OP)가 천공되고, 이 개구들 각각은 제1 불순물 확산 영역들 중 하나의 영역 및 제2 불순물 확산 영역들 중 적어도 2개의 영역에 대응한다.</p>
