| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체장치의 콘택 형성방법에 관한 것으로서, 특히, 적층 구조의 절연막을 형성하고 절연막의 소정부위를 제거하여 선택적 에피층성장법(selective epitaxial growth)으로 소자가 형성되는 활성영역을 형성하므로서 별도의 트렌치형 필드산화막 형성공정없이 소자격리를 이루어 공정을 단순화하고, 불순물 확산영역의 증가로 쉬트(sheet)저항을 감소시키며, 플러그와 활성영역의 계면이 증가하여 콘택저항을 감소시키고, 또한, 에피층에 소자를 형성하므로 소자신뢰성을 향상시키는 반도체장치의 무경계 콘택(borderless contact) 형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체장치의 콘택 형성방법은 반도체 기판위에 제 1 절연막과 식각정지막을 차례로 형성하는 단계와, 식각정지막과 제 1 절연막의 소정 부위를 제거하여 기판의 소정 부위 표면을 노출시키는 윈도우를 형성하는 단계와, 노출된 기판 표면에 잔류한 식각정지막 보다 높게 활성층을 형성하는 단계와, 활성층에 게이트절연막, 게이트, 그리고 불순물 확산영역를 포함하여 이루어진 트랜지스터를 형성하는 단계와, 트랜지스터를 포함하는 기판의 상부 전면에 제 2 절연막을 형성하는 단계와, 제 2 절연막의 소정 부위를 제거하여 불순물 확산영역 일부 표면과 식각정지막의 일부 표면을 동시에 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와, 콘택홀을 충전하는 도전성 물질로 이루어진 플러그를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.</p> |
