| 摘要 |
193㎚ 영역의 노광파장을 사용하는 포토리소그래피 공정에서 반사율을 낮출 수 있고 반사방지막과 포토레지스트막의 계면에서 혼합(intermixing)을 방지할 수 있는 이중층 반사방지막을 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은 반도체 기판 위에 형성된 고반사율을 갖는 하지층과, 상기 하지층위에 구성되고 질화막(SiN)과 하이드로 카본계 가스만을 사용한 막으로 이루어진 이중층 반사방지막과, 상기 이중층 반사방지막 위에 구성된 포토레지스트막을 구비하는 것을 특징으로 하는 이중층 반사방지막을 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 이중층 반사방지막은 질화막과 하이드로 카본계 가스만을 이용하여 형성한 막이 순차적으로 적층되거나, 하이드로 카본계 가스만을 이용하여 형성한 막과 질화막이 순차적으로 적층될 수 있다. |
