发明名称 FLASH MEMORY DEVICE WITH ROW DECODING STRUCTURE WHICH IS APPROPRIATE FOR HIGH DESITTY
摘要 <p>여기에 개시된 플래시 메모리 장치는 행 그로벌 디코더, 행 파셜 디코더, 행 로컬 디코더 및 블록 디코더를 갖는 행 디코더 회로를 포함한다. 상기 행 로컬 디코더는 로컬 워드 라인들 각각에 대응하는 드라이버들로 구성되며, 각 드라이버는 단지 2개의 MOS 트랜지스터들로 이루져 있다. 이는 행 디코더 회로가 반도체 집적 회로 다이의 많은 면적을 점유하지 않게 한다.</p>
申请公布号 KR100308480(B1) 申请公布日期 2001.11.01
申请号 KR19990028257 申请日期 1999.07.13
申请人 null, null 发明人 최기환
分类号 G11C16/06;G11C16/02;G11C16/04;G11C16/08 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人
主权项
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