| 发明名称 | 半导体器件粘附层结构及形成结构的工艺 | ||
| 摘要 | 在淀积阻挡层(412)之前形成半导体衬底器件(404)的粘附/中间层区(410)改善了阻挡层(412)与下面介质(404)的粘附性并增加了与下一互连层的强度,同时没有改变阻挡层(412)限制Cu扩散到介质基底(404)内的功能。通过在附属于或与阻挡层淀积室(300)分离的室内的介质基底的辉光放电工艺中流动处理气体形成粘附/中间层区。处理气体(212,320)可以为氮气、氢气、含有碳原子的气体、或其它一些合适的气体。 | ||
| 申请公布号 | CN1319887A | 申请公布日期 | 2001.10.31 |
| 申请号 | CN01101740.6 | 申请日期 | 2001.01.23 |
| 申请人 | 摩托罗拉公司 | 发明人 | 张继明;迪恩·J·邓宁;萨姆·S·加西亚;斯科特·K·波兹德尔 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/283;H01L21/3205 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1．一种在半导体晶片中的镶嵌结构中形成钽阻挡层的方法，其中镶嵌结构穿过介质层到达导电层，其特征在于以下步骤：在将钽施加到镶嵌结构之前，用含有选自氮、碳和氢的一种元素的等离子体气体处理镶嵌结构；以及在镶嵌结构中淀积钽。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||