| 发明名称 | 声共振器装置的隔离方法 | ||
| 摘要 | 一种隔离压电薄膜声共振器装置的方法。具体地说,此项隔离技术包括在声共振器装置之间控制或隔离压电材料层,限制沿横向传播离开装置的声能量。一方面,从装置中去除不涉及通过RF和声能之间的转换而传输信号的至少一部分压电材料。另一方面,在制造时把压电材料的生长限制在一定的区域。再一方面,在制造装置时扰乱或改变压电材料的晶体取向,从而形成具有优良的压电特性的区域和显示较弱的压电特性的区域。 | ||
| 申请公布号 | CN1319835A | 申请公布日期 | 2001.10.31 |
| 申请号 | CN01101666.3 | 申请日期 | 2001.01.19 |
| 申请人 | 朗迅科技公司 | 发明人 | 布拉德利·保罗·巴伯;里纳斯·阿尔伯特·费特;迈克尔·乔治·兹尔德特 |
| 分类号 | G10H3/12 | 主分类号 | G10H3/12 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 冯谱 |
| 主权项 | 1．一种产生声共振器装置的方法，其中声共振器装置由一种插在衬底上的两个导体之间的压电材料形成，包括：隔离压电材料以减小横向传播离开装置的声能量。 | ||
| 地址 | 美国新泽西州 | ||