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发明名称 Abscheidung verschiedener Untergrundschichten für selektives Schichtwachstum in der Halbleiterfertigung
摘要
申请公布号 DE19944740(C2) 申请公布日期 2001.10.25
申请号 DE19991044740 申请日期 1999.09.17
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 KIRCHHOFF, MARKUS;SPERLICH, HANS-PETER;SCHILLING, UWE;GABRIC, ZVONIMIR;SPINDLER, OSWALD;WEGE, STEPHAN;GLAWISCHNIG, HANS
分类号 H01L21/316;H01L21/318;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/314;H01L21/768 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人
主权项
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