化学气相沉积室钝化方法

摘要

说明了一种方法,用该方法可在湿式清洗(10)或就地清洗(20)后或在每次进行沉积(40)后有效地调理、钝化用来沉积等离子体增强Ti－CVD薄膜的处理室。该方法可使Ti－PECVD之类CVD过程在最短时间中、经最少量调理晶片后恢复薄膜的电阻率、均匀性和沉积率之类特性,从而提高该系统的生产率。该方法还在连续操作过程中保持该系统的稳定性。从而可在该室的就地清洗之间处理上千片晶片。在清洗该室紧后、对晶片进行Ti－CVD过程前,该方法包括用反应气体生成等离子体加热反应器各部件(16、34),然后输入含有镀层材料的反应体把镀层材料沉积在反应器各部件上(18),然后把氧化或还原气体输入该室中稳定反应器各部件上的镀层(20),然后恢复晶片沉积过程(40)。连续进行晶片的Ti－CVD时(40),该方法包括:需要时输入氩气和氢气的混合气体生成等离子体加热反应器各部件(43);然后输入并化学还原TiCl₄(44)把Ti沉积到反应器受热表面上(45);然后把氧化或还原气体输入该室中一段足以稳定该Ti薄膜的时间(50)。输入氮气和氨气与钝化晶片和稳定反应器最好同时进行。可使用氨气、水、氧气或其他气体只稳定反应器,在某些情况下也可同时稳定晶片。

主权项

1、一种保持一CVD处理室的稳定性的方法，该CVD处理室用来把含钛材料化学气相沉积在支撑在该室中的基片上，包括下列步骤：在该反应器中化学气相沉积钛后：把氧化或还原气体输入该室中并与该室各部件的CVD镀钛表面接触一段足以使所沉积材料稳定这些表面上的含钛薄膜的时间。