| 摘要 |
산화막, 금속막, 산화막등이 이 순서대로 전체 2n + 1 (여기서 n은 1 또는 그 이상인 정수) 층으로 기판상에 교대로 형성된 코팅을 구비하는 저방사율막에 있어서, 금속막 (A) 맞은편에 형성되고 상기 기판으로 부터 보아 상기 기판으로 부터 가장멀리 있는 산화막 (B)은 Zn을 포함하는 총량에 대해 1 내지 10원자%까지 Si, Ti, Cr, B, Mg, Sn 및 Ga로 구성되는 군에서 선택된 적어도 하나로 도우프된 산화 아연막층을 적어도 하나 포함한다. |
