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发明名称 JUNCTION-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH HIGHLY DOPED CONNECTING AREAS
摘要
申请公布号 EP1145328(A1) 申请公布日期 2001.10.17
申请号 EP19990967886 申请日期 1999.12.17
申请人 SICED ELECTRONICS DEVELOPMENT GMBH & CO KG 发明人 TIHANYI, JENOE;MITLEHNER, HEINZ;STEPHANI, DIETRICH
分类号 H01L29/808;(IPC1-7):H01L29/808 主分类号 H01L29/808
代理机构 代理人
主权项
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