PoP封装结构及制造工艺

摘要

本发明涉及一种PoP封装结构及制造工艺，其特征是，在扇出型封装单元制作时，采用芯片正面朝上的工艺流程，通过在载片上制作金属层，然后按芯片的排列位置开槽并且按设计需要制作与其它封装单元互连的电极，从而改变扇出型晶圆级封装的内部结构，增强其刚性和热胀系数，使得整个晶圆的翘曲以及因塑封料涨缩引起的滑移、错位得到控制。塑封以后在背面开孔，填充金属，与之前金属层形成的电极形成互连，并且金属层在去掉载片和粘胶层后在塑封材料背面露出，可制作金属焊垫。这样的封装单元可以通过封装单元背面的金属焊垫和其它封装单元连接，形成多层PoP封装结构成。

主权项

一种PoP封装结构，包括上下两层扇出型封装单元，其特征是：所述扇出型封装单元包括带有第一金属电极（102a）和第二金属电极（102b）的芯片（100）和金属层（203），芯片（100）和金属层（203）通过塑封材料（501）塑封成一个整体；所述芯片（100）的正面（100a）与塑封材料（501）的正面（501a）位于同一平面，芯片（100）的背面（100b）与塑封材料（501）的背面（501b）位于同一平面；在所述金属层（203）所在区域的塑封材料（501）上制作垂直通孔，在垂直通孔内填充形成金属柱（701），金属柱（701）的第一表面（701a）与塑封材料（501）的正面（501a）位于同一平面，金属柱（701）的第二表面（701b）与金属层（203）的第一表面（203a）连接，金属层（203）的第二表面（203b）与塑封材料（501）的背面（501b）位于同一平面；在所述塑封材料（501）的正面（501a）设置第一介电层（901），第一介电层（901）中布置再布线金属走线层（1101）和凸点下金属层（1201），在凸点下金属层（1201）上置焊球（1301），再布线金属走线层（1101）连接第一金属电极（102a）、第二金属电极（102b）以及凸点下金属层（1201）；在所述塑封材料（501）的背面（501b）设置第二介电层（902），第二介电层（902）中布置背面再布线金属走线层（1102）和背面凸点下金属层（1202），背面再布线金属走线层（1102）与金属层（203）连接；所述上层扇出型封装单元的焊球（1301）与下层扇出型封装单元的背面凸点下金属层（1202）连接。