| 摘要 |
<p>본 발명은 기존의 Ballistic 콜렉터 HBT 구조에서 전자 발사구조를 형성시키기 위한 고 불순물 농도의 n콜렉터 층을 낮은 불순물 도핑의 그레이딩된 AlGaAs층으로 대체하여 HBT의 항복전압을 증가시키고, 그로 인해 고전압 동작에서 HBT의 속도 특성을 더욱 향상시킬 수 있는 이중 이종접합 쌍극성 트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명에 따른 이중 이종접합 쌍극성 트랜지스터는, 반도체 기판상에 형성된 GaAs 서브콜렉터 층과, InGaP 콜렉터 층과, AlGaAs 그레이딩 층과, GaAs 제 1 스페이서 층과, GaAs 베이스 층과, GaAs 제 2 스페이서 층 및, InGaP 또는 AlGaAs 에미터 층과, GaAs 에미터캡 층으로 구성되며, InGaP 콜렉터 층은, GaAs 서브콜렉터 층의 상부에 형성된 제 1 n콜렉터 층과, 제 1 n콜렉터 층의 상부에 형성된 제 1 n콜렉터 층과, 제 1 n콜렉터 층의 상부에 형성된 p콜렉터 층과, p콜렉터 층의 상부에 형성된 제 2 n콜렉터 층으로 구성된 이중 이종접합 쌍극성 트랜지스터를 제공한다.</p> |
