| 主权项 |
1.一种分离闸极式快闪记忆体的制造方法,包括:提供一基底;在该基底上依序形成一遂穿氧化层、一复晶矽层和一遮蔽层,其中该遮蔽层已图案化,且暴露出欲形成浮置闸的区域,以及至少大致覆盖欲形成源极的区域,其中该复晶矽层亦已同时些微图案化,而该复晶矽层的侧壁呈倾斜状;在该复晶矽层和该遮蔽层上形成一共形的第一氧化层;在该共形的第一氧化层上形成一致密的第二氧化层;剥除部份该致密的第二氧化层和该共形的第一氧化层,直至表面大致与该遮蔽层齐平且暴露出该遮蔽层为止;剥除至少大致覆盖欲形成源极的区域之该遮蔽层,并继续剥除下方之该复晶矽层及裸露出之该共形的第一氧化层,直至暴露出该遂穿氧化层为止,以形成一开口;于该开口的侧壁形成一间隙壁;于包含该间隙壁的该开口中形成一源极接触窗;于该源极接触窗的表面形成一第三氧化层;剥除剩余之该遮蔽层,并继续剥除下方之该复晶矽层,直至暴露出该遂穿氧化层为止,使剩下之该复晶矽层位于该致密的第二氧化层下方做为一浮置闸极之用;剥除裸露出之该共形的第一氧化层,以暴露出该浮置闸极的角落;于该浮置闸极、该致密的第二氧化层和该第三氧化层上形成一共形的介电层;以及于该氧化层和该浮置闸极的侧壁之该共形的介电层外形成一导电间隙壁,做为一抹除闸极之用。2.如申请专利范围第1项所述之分离闸极式快闪记忆体的制造方法,其中该遮蔽层的材质为氮化矽。3.如申请专利范围第1项所述之分离闸极式快闪记忆体的制造方法,其中形成该开口的方法,包括:形成一光阻图案层至少暴露出欲形成源极的区域之该遮蔽层;以及以该光阻图案层和该致密的第二氧化层为罩幕,进行一非等向性蚀刻步骤,以形成该开口。4.如申请专利范围第1项所述之分离闸极式快闪记忆体的制造方法,其中该源极接触窗的材质为复晶矽。5.如申请专利范围第1项所述之分离闸极式快闪记忆体的制造方法,其中该共形的第一氧化层之厚度为250-350埃。6.如申请专利范围第1项所述之分离闸极式快闪记忆体的制造方法,其中剥除该共形的第一氧化层以暴露出该浮置闸极的角落之方法系为湿式蚀刻,该共形的第一氧化层对该致密的第二氧化层之湿式蚀刻的速率比大致为3比1。7.如申请专利范围第1项所述之分离闸极式快闪记忆体的制造方法,其中该共形的介电层之材质为氧化物。8.如申请专利范围第1项所述之分离闸极式快闪记忆体的制造方法,其中该导电间隙壁的材质为复晶矽。9.如申请专利范围第8项所述之分离闸极式快闪记忆体的制造方法,其中该导电间隙壁的形成方法包括:于该共形的介电层上形成一共形的复晶矽层;以及进行非等向性蚀刻制程,直至暴露出该遂穿氧化层,以形成该导电间隙壁。图式简单说明:第一图A至第一图I系绘示根据本发明一较佳实施例之一种分离闸极式快闪记忆体的制造方法。 |
