| 主权项 |
1.一种加工一半导体晶圆之方法,半导体晶圆系自一单晶锭切下且具有前与后表面及一周缘,其包含以下步骤:(a)研磨晶圆之前与后表面,以减少晶圆之厚度及增进晶圆之平坦度,研磨步骤可在前与后表面上产生缺陷;(b)细研晶圆之前表面,以减少研磨步骤后留置于前表面上之缺陷,背面上之缺陷则仍不变;及(c)利用一抛光浆液以同时抛光晶圆之前与后表面,以利增进晶圆之平坦度及减少前与后表面上之晶圆缺陷,仍留在背面上之晶圆缺陷系多于前表面上之晶圆缺陷,而仍留在背面上之晶圆缺陷有助于吸杂。2.如申请专利范围第1项之方法,其中晶圆自研磨至包括抛光之加工系无任意步骤执行于背面上,亦不执行于前表面上。3.如申请专利范围第2项之方法,其中晶圆背面上之缺陷大致上并不在该研磨与该抛光步骤之间减少。4.如申请专利范围第2项之方法,进一步包含精磨晶圆前表面以减少非镜子式反射光之步骤。5.如申请专利范围第2项之方法,其中研磨步骤系以每分钟3-20微米范围之材料去除率进行。6.如申请专利范围第5项之方法,其中使用于研磨步骤中之研磨浆液包括具有5-30微米粒度之矾土研磨材料。7.如申请专利范围第6项之方法,其中研磨步骤减少大约40-120微米之晶圆厚度,研磨步骤进一步减少大约5-20微米之晶圆厚度及同时抛光步骤进一步减少大约10-30微米之晶圆厚度。8.一种加工一半导体晶圆之方法,半导体晶圆系自一单晶锭切下且具有前与后表面及一周缘,其包含以下步骤:(a)研磨晶圆之前与后表面,以减少晶圆之厚度及增进晶圆之平坦度,研磨步骤可在前与后表面上产生缺陷;及(b)利用一抛光浆液以同时抛光晶圆之前与后表面,使得自背面去除之晶圆材料少于前表面者,仍留在背面上之晶圆缺陷系多于前表面上之晶圆缺陷,而仍留在背面上之晶圆缺陷有助于吸杂。9.如申请专利范围第8项之方法,其中晶圆背面上之缺陷并不在该研磨与该抛光步骤之间减少。10.如申请专利范围第9项之方法,其中藉由一对前表面比对背面为高之温度进行抛光,使得自背面去除之晶圆材料少于前表面者。图式简单说明:第一图系本发明用于加工一半导体晶圆之第一实例方法流程图;及第二图系一第二实例方法流程图。 |
