| 主权项 |
1.一种使用Z储存条件缓冲暂存区之三度空间绘图系统,包括:一Z暂存区,该Z暂存区被分割为复数个Z储存区域,任一该Z储存区域包括至少一Z储存位元,任一该Z储存位元可储存一Z轴深度値;一Z储存条件缓冲暂存区,包括数量与该些Z储存区域相当的复数个Z储存条件位元,任一该些Z储存条件位元则对应于一个该Z储存区域,且任一该些Z储存条件位元可被设定为一清除状态及一占用状态二者之一,而当任一该Z储存区域需要被清除时,就将相对应之该Z储存条件位元设定为该清除状态,此外,当该Z轴深度値要写入任一该Z储存区域时,就将该Z储存区域所对应的该Z储存条件位元设定为该占用状态;以及一深度暂存器,用以储存一Z轴最深値,当该Z轴深度値要写入该Z储存区域,且该Z储存区域所对应的该Z储存条件位元处于该清除状态时,就以该深度暂存器中之该Z轴最深値与该Z轴深度値进行比较。2.一种使用Z储存条件缓冲暂存区之三度空间绘图系统,包括:一Z暂存区,该Z暂存区被分割为复数个Z储存区域;以及一Z储存条件缓冲暂存区,包括复数个Z储存条件位元,任一该些Z储存条件位元对应于一个该Z储存区域,且任一该些Z储存条件位元可被设定为一清除状态及一占用状态二者之一,而当任一该Z储存区域需要被清除时,就将相对应之该Z储存条件位元设定为该清除状态,此外,当该Z轴深度値要写入任一该Z储存区域时,就将该Z储存区域所对应的该Z储存条件位元设定为该占用状态。3.如申请专利范围第2项所述之三度空间绘图系统,更包括一深度暂存器,用以储存一Z轴最深値。4.如申请专利范围第2项所述之三度空间绘图系统,其中任一该Z储存区域包括至少一Z储存位元。5.如申请专利范围第2项所述之三度空间绘图系统,其中该些Z储存条件位元的数量系与该些Z储存区域相当。6.一种使用Z储存条件缓冲暂存区之三度空间绘图方法,包括:以一Z储存条件位元表示包括至少一Z储存位元的一Z储存区域;当要清除该Z储存区域时,就将该Z储存条件位元设定为一清除状态;以及当有一Z轴深度値写入任一该Z储存位元中时,就将该Z储存条件位元设定为一占用状态。7.如申请专利范围第6项所述之三度空间绘图方法,更包括:以一深度暂存器储存一Z轴最深値;以及当该Z轴深度値要写入该Z储存区域,且该Z储存区域所对应的该Z储存条件位元处于该清除状态时,勍以该深度暂存器中之该Z轴最深値与该Z轴深度値进行比较。图式简单说明:第一图绘示的是根据本发明之一较佳实施例的三度空间绘图系统连接示意图;第二图A绘示的是根据本发明另一较佳实施例的Z暂存区分割示意图;第二图B绘示的是根据第二图A中之较佳实施例的Z储存区域分割所得的Z储存条件缓冲暂存区的一较佳实施例;以及第三图绘示的是根据本发明之又一较佳实施例在绘制图形时的Z储存条件缓冲暂存区示意图。 |
