| 主权项 |
1.一种半导体装置的电压控制产生器,包括:一控制位准产生器,产生至少一用于由一半导体装置之基板侦测基板偏压位准之讯号,并调整一震荡周期之频宽以依据该侦测得之讯号设定位准;一电压控制震荡器,用于产生一讯号,其中,一震荡周期之频宽系随着该控制位准产生器之一输出讯号而改变至该设定位准;以及一充电帮浦,系藉由一随着该电压控制震荡器之输出讯号而增加或减少其充电速率,供应一稳定之偏压至该半导体装置之基板;其中,该电压控制震荡器包括:一第一切换列,具有复数个电晶体,系随着该升高控制电压而切换,并供应一电源电压,因此系产生一正比于该升高控制位准产生器之升高控制电压的电流,以及反比于该降低控制位准产生器之降低控制电压的电流;一第二切换列,具有复数个电晶体,系随着降低控制电压而切换,并供应一地电位;一反相器列,具有复数个反相器,系与该切换列串联,并随着该回馈之输出讯号而输出一反相讯号;以及一逻辑闸,系由该反相器列所输出一反及之输出讯号与一外部之输入致能讯号而产生一输出讯号。2.如申请专利范围第1项所述之产生器,其中,该第一与第二切换列以及该反相器列每一皆包括偶数个电晶体与反相器。3.一种半导体装置的电压控制产生器,包括:一控制位准产生器,系利用一升高电压产生至少一用于由一半导体装置侦测电压位准之讯号,并调整一震荡周期之频宽以依据该侦测得之讯号设定位准;一电压控制震荡器,用于产生一讯号,其中一震荡周期之频宽系随着该控制位准产生器之一输出讯号而改变至该设定位准;以及一充电帮浦,系藉由一随着该电压控制震荡器之输出讯号而增加或减少其充电速率,供应一稳定之升高电压至该半导体装置。4.如申请专利范围第3项所述之产生器,其中,该控制位准产生器包括一升高控制位准产生器以产生一正比于该侦测得自该需要该升高电压之半导体装置之电压位准之升高电压。5.如申请专利范围第4项所述之产生器,其中,该升高控制位准产生器包括多于2个电晶体,系连接于一电源与一地电位之间。6.如申请专利范围第4项所述之产生器,其中,该控制位准产生器包括一降低控制位准产生器,用于产生一反比于该侦测得自该需要一升高电压之半导体装置之电压位准之降低电压。7.如申请专利范围第6项所述之产生器,其中,该降低控制位准产生器包括多于2个电晶体,系连接于一电源与一地电位之间。8.如申请专利范围第3项所述之产生器,其中,该电压控制震荡器包括:一第一切换列,具有复数个电晶体,系随着该升高控制电压而切换,并供应一电源电压,因此系产生一反比于该升高控制位准产生器之升高控制电压的电流,以及正比于该降低控制位准产生器之降低控制电压的电流;一第二切换列,具有复数个电晶体,系随着降低控制电压而切换,并供应一地电位;一反相器列,具有复数个反相器,系与该切换列串联,并随着该回馈之输出讯号而输出一反相讯号;以及一逻辑闸,系由该反相器列所输出一反及之输出讯号与一外部之输入致能讯号而产生一输出讯号。9.如申请专利范围第8项所述之产生器,其中,该第一与第二切换列以及该反相器列每一皆包括偶数个电晶体与偶数个反相器。图式简单说明:第一图为方块图,系指出一半导体装置之基板偏压产生电路,且依据本发明系使用一电压控制震荡器而控制一改变之周期;第二图为一详细之电路图,指出第一图中之电路;第三图为一模拟之图示,藉由改变如第二图中所示之电路其VBB位准,而量测一震荡周期;第四图为方块图,代表依据本发明之使用一电压控制震荡器调整该变化周期之用于一半导体装置之电压递升(step-up)产生电路;第五图系为方块图,代表于第四图中所示之电压递升生电路之电压位准产生器;第六图为电路图,代表第四图中之控制位准产生器以及电压控制震荡器;以及第七图系藉由改变第四图中之该递升电压产生电路之Vpp位准,测量其震荡周期所获得之模拟之图示。 |
