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1.一种在制造特别是无线电频率应用积体电路之一积体电路时用以形成浅及深沟以隔离该电路所含半导体电路之方法,其特征如下列步骤:提供一半导体基质(10);经由使用一形成在该基质上之第一光罩(16)而形成至少一浅沟(18),该浅沟延伸入该基质;形成一预定厚度(2x)介电层(20)在该所获结构上以形成至少一浅沟;经由使用形成在该介电层上一第二光罩(22)形成至少一开孔(33)在该介电层及以该第二光罩的一边缘(30)以该介电层的一半预定厚度(2x)之最大不重合(+/-x)对准至该浅沟的一边缘(26),该开孔延伸在该浅沟内至底端(18a),由是一宽度等于一预定厚度(2x)的隔离器(32)被形成在该浅沟内及沿着该边缘;及经使用该介电层作为一硬光罩形成一深沟(34)在该开孔内,该深沟另延伸入该基质及被自行对准至该浅沟。2.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于经由选定介电层(20)及该隔离器的边缘(28)间的预定厚度(2x)之步骤,因此该深沟(34),及该浅沟(18)的边缘(26)是依该电路所含的半导体设备而定。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于经由一致沉积,较佳是化学汽相沉积,形成该介电层(20)之步骤。4.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于经由形成一介电层(14),特别是一矽氮化物层,在该基质上以形成至少一浅沟(18)之步骤。5.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于在该基质于形成至少一浅沟(18)之前形成一氧化物层(12),特别是一热氧化层之步骤。6.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于经由形成一氧化物线性(36),特别是一热氧化物线性,在所获致该结构上以形成该深沟(34)以获致角落环绕同时各别于浅和深沟(18,34)之失角之步骤。7.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于沉积一隔离层(38),较佳是一TEOS层,在该浅及深沟内(18,34),填充该等构以半导体(40)或隔离材料及从该浅沟(18)移走该半导体材料之步骤。8.如申请专利范围第7项之方法,其特征在于沉积一隔离层(42),较佳是一CVD氧化物,在该浅沟(18)内及平坦化该隔离层的鞍上表面之步骤。9.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该半导体基质(10)是矽制。10.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该浅沟(18)是经由蚀刻,较佳是非各性异向反应离子蚀刻。11.如申请专利范围第10项之方法,其特征在于在形成至少一浅沟之步骤之后,该浅清(18)被蚀刻至一深度超过该形成的介电层的厚度(2x)。12.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该浅沟(18)被形成至离该矽基质表面(10a)0.2-0.7m之深度。13.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于形成至少一浅沟的步骤后形成之介电层是一氧化物层,较佳是一TEOS层,至一较佳约1000-4000埃的预定厚度(2x)。14.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该介电层(20)内至少一开孔(33)形成在至少一浅沟形成步骤后经由蚀刻形成,较佳是反应离子蚀刻。15.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该深沟(34)经由蚀刻形成至至少数微米。16.一种半导体结构,在一积体电路,特别是无线电频率应用积体电路,用以隔离该电路所含半导体电路,其特征在于其包含一半导体基质(10);至少一浅沟(18)垂直延伸入该基质;一深沟(34)横向在该浅沟内,该深沟另垂直延伸入该基质,其中该深沟是自行对准入该浅沟于该浅沟(26)的一边缘及该深沟的一边缘(28)间一控制横向距离,且该浅和深沟的横向延伸是各别独立地选定。17.一种积体电路,特别是一种无线电频率应用积体电路,其特征在于其包含如申请专利范围第16项之一半导体结构。图式简单说明:第一图-第三图及第五图-第八图是在本发明处理时一半导体结构的一埠之一高放大横剖面图。第四图是本发明处理时一半导体结构的一埠之视图。第九图-第十一图是本发明处理时一半导体结构的一埠之横剖面得SEM影像。 |
