主权项 |
1.一种半导体元件之安装方法,其系包含有:在半导体元件或配线基板之任一个上形成焊锡凸块的焊锡凸块形成步骤;将前述半导体元件与前述配线基板加热至低于焊锡熔点之规定预热温度的加热步骤;将前述半导体元件介以前述焊锡凸块压接在前述配线基板上的压接步骤;在前述半导体元件与前述焊锡凸块被压接的状态下,将前述半导体加热至焊锡熔点以上的温度,以熔融前述半导体元件或前述配线基板上所形成之焊锡凸块的步骤;使前述半导体元件朝水平方向或垂直方向之任一个方向周期性地规律动作的规律动作步骤;以及将前述半导体元件冷却至低于焊锡熔点之规定冷却温度的冷却步骤。2.如申请专利范围第1项之半导体元件之安装方法,其中前述压接步骤及前述规律动作步骤,系将前述焊锡凸块设在惰性环境或还原性环境之任一种状态下进行者。3.如申请专利范围第1或2项之半导体元件之安装方法,其中前述焊锡凸块形成步骤,系在半导体元件及配线基板上分别形成焊锡凸块者。4.如申请专利范围第1或2项之半导体元件之安装方法,其中前述规律动作步骤,系在前述半导体元件与前述配线基板被压接的状态下,将前述半导体加热至焊锡熔点以上之温度,且在熔融前述半导体元件或前述配线基板上所形成之焊锡凸块的状态下,使前述半导体元件朝水平方向或垂直方向周期性地规律动作者。5.如申请专利范围第1或2项之半导体元件之安装方法,其中前述规律动作步骤,系在前述半导体元件与前述配线基板被压接的状态下,将前述配线基板加热至焊锡熔点以上之温度,且在熔融前述半导体元件或前述配线基板上所形成之焊锡凸块的状态下,使前述半导体元件朝水平方向或垂直方向周期性地规律动作者。图式简单说明:第一图(A)-第一图(D)为本发明实施形态1之半导体元件之安装步骤的剖面图。第二图为本发明实施形态2之半导体元件之安装步骤的剖面图。 |