发明名称 半导体元件之安装方法
摘要 本发明之目的在于:提供一种在进行半导体元件与配线基板之连接作业中,不会因助焊剂(flux)之残渣而降低连接可靠度的半导体元件之安装方法。其解决手段在于:藉由预先将半导体元件l与配线基板2加热至规定预热温度之后压接半导体元件l与配线基板2即可利用该压接作业而事先破坏焊锡凸块(bump)3之氧化膜的一部分。更且将半导体元件与配线基板上之焊锡凸块加热至焊锡配线以上而在熔融焊锡凸块之状态下使半导体元件l朝规定的方向规律动作,由于藉此可将覆盖住焊锡凸块之表面的氧化膜取入于焊锡凸块3之中,所以无须使用助焊剂即可进行接合作业。再者,由于利用大气遮断箱6内之惰性气体7等,即可对半导体元件l上及/或配线基板2上所形成的焊锡凸块3之表面进行氧化防止或氧化膜还原之作业,所以可更加稳定半导体元件l与配线基板2之间的接合作业。
申请公布号 TW459319 申请公布日期 2001.10.11
申请号 TW089107739 申请日期 2000.04.25
申请人 三菱电机股份有限公司 发明人 林英二;富田至洋
分类号 H01L21/60 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 赖经臣 台北巿南京东路三段三四六号一一一二室
主权项 1.一种半导体元件之安装方法,其系包含有:在半导体元件或配线基板之任一个上形成焊锡凸块的焊锡凸块形成步骤;将前述半导体元件与前述配线基板加热至低于焊锡熔点之规定预热温度的加热步骤;将前述半导体元件介以前述焊锡凸块压接在前述配线基板上的压接步骤;在前述半导体元件与前述焊锡凸块被压接的状态下,将前述半导体加热至焊锡熔点以上的温度,以熔融前述半导体元件或前述配线基板上所形成之焊锡凸块的步骤;使前述半导体元件朝水平方向或垂直方向之任一个方向周期性地规律动作的规律动作步骤;以及将前述半导体元件冷却至低于焊锡熔点之规定冷却温度的冷却步骤。2.如申请专利范围第1项之半导体元件之安装方法,其中前述压接步骤及前述规律动作步骤,系将前述焊锡凸块设在惰性环境或还原性环境之任一种状态下进行者。3.如申请专利范围第1或2项之半导体元件之安装方法,其中前述焊锡凸块形成步骤,系在半导体元件及配线基板上分别形成焊锡凸块者。4.如申请专利范围第1或2项之半导体元件之安装方法,其中前述规律动作步骤,系在前述半导体元件与前述配线基板被压接的状态下,将前述半导体加热至焊锡熔点以上之温度,且在熔融前述半导体元件或前述配线基板上所形成之焊锡凸块的状态下,使前述半导体元件朝水平方向或垂直方向周期性地规律动作者。5.如申请专利范围第1或2项之半导体元件之安装方法,其中前述规律动作步骤,系在前述半导体元件与前述配线基板被压接的状态下,将前述配线基板加热至焊锡熔点以上之温度,且在熔融前述半导体元件或前述配线基板上所形成之焊锡凸块的状态下,使前述半导体元件朝水平方向或垂直方向周期性地规律动作者。图式简单说明:第一图(A)-第一图(D)为本发明实施形态1之半导体元件之安装步骤的剖面图。第二图为本发明实施形态2之半导体元件之安装步骤的剖面图。
地址 日本