| 发明名称 | 一种制备单相钡镱铜氧超导体的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高Tc氧化物超导体的制备方法，特别是涉及一种单相YbBa＃-[2]Cu＃-[3]O＃-[7-x]超导体的制备方法。本发明的目的在于克服在制备过程中Yb－211等杂相的生成和节约能源，从而提供一种用Yb＃-[2]O＃-[3]做原料和按Yb－123相的形成过程可采用较低的烧结温度的制备出单相性好的熔融结构的,具有Tc＝92K的超导体的方法。$＃! | ||
| 申请公布号 | CN1072828C | 申请公布日期 | 2001.10.10 |
| 申请号 | CN94101027.9 | 申请日期 | 1994.02.16 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 车广灿;杜玉扣;贾顺莲;赵忠贤 |
| 分类号 | H01B12/00;H01L39/24;C04B35/00 | 主分类号 | H01B12/00 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 高存秀 |
| 主权项 | 1．一种采用、初磨、初烧、再研磨、压块、烧结的制备单相Yb-Ba2Cu3O7-x超导体的方法，其特征在于：按Yb2O3∶BaCo3∶CuO=0.5∶2∶3的配比配料，经均匀混合，在820℃-830℃下初烧20-30小时，初烧后的料再充分研磨，在压块后经820℃-830℃烧结20-30小时，再经研磨、压块、在820℃-830℃烧结20-30小时。 | ||
| 地址 | 100080北京市603信箱88号 | ||