| 发明名称 | 硅绝缘体结构半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种SOI结构的半导体器件，包括：浮置状态下的表面半导体层，该层叠置于掩埋绝缘膜上，以便构成SOI衬底；第二导电类型的源/漏区，它们形成于所说表面半导体层中；位于源/漏之间的第一导电类型的沟道区；通过栅绝缘膜形成于沟道区上的栅极；其中表面半导体层具有在栅宽度方向上、在和/或靠近沟道区的至少一端形成于其中的第一导电类型的位阱。 | ||
| 申请公布号 | CN1316781A | 申请公布日期 | 2001.10.10 |
| 申请号 | CN01117888.4 | 申请日期 | 2001.04.04 |
| 申请人 | 夏普公司 | 发明人 | A·O·阿丹 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L27/12 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈霁;梁永 |
| 主权项 | 1、一种SOI结构的半导体器件，包括：浮置状态下的表面半导体层，该层叠置于掩埋绝缘膜上，以便构成SOI衬底；第二导电类型的源/漏区，它们形成于所说表面半导体层中；位于源/漏之间的第一导电类型的沟道区；和通过栅绝缘膜形成于沟道区上的栅极；其中表面半导体层具有在栅宽度方向上、在和/或靠近沟道区的至少一端形成于其中的第一导电类型的位阱。 | ||
| 地址 | 日本大阪市 | ||