发明名称 Integrated memory and method for verifying the function of memory cells of an integrated memory
摘要 <p>Es wird ein integrierter Speicher beschrieben, der adressierbare Speicherzellen (MC) zusammengefaßt in Gruppen von Spaltenleitungen (C) und Reihenleitungen (R) aufweist. Die Adressen (CADR, RADR) der Speicherzellen umfassen jeweils einen ersten Adreßteil (CADR1, RADR1), über den die jeweiligen Gruppen von Spaltenleitungen (C) und Reihenleitungen (R) adressierbar sind. Die Speicherzellen (MC) werden in einem Verfahren zur Funktionsüberprüfung im Kreuzungsbereich (K) zweier Gruppen (C, R) nacheinander auf Fehlerfreiheit geprüft. Im Anschluß daran werden Speicherzellen (MC) einer weiteren Gruppe (C, R) geprüft. Bei Übereinstimmung von miteinander verglichenen ersten Adreßteilen (CADR1, RADR1) von fehlerhaften Speicherzellen wird die Adresse wenigstens einer der fehlerhaften Speicherzellen zur Auswertung weiterverarbeitet, die Adressen weiterer fehlerhafter Speicherzellen werden nicht weiterverarbeitet. Dadurch ist eine weitgehende Kompaktierung von Adressen fehlerhafter Speicherzellen ermöglicht. &lt;IMAGE&gt;</p>
申请公布号 EP1143456(A2) 申请公布日期 2001.10.10
申请号 EP20010107280 申请日期 2001.03.23
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 DAEHN, WILFRIED, DR.;HELFER, WOLFGANG
分类号 G11C29/00;G01R31/28;G11C29/10;G11C29/12;G11C29/44;(IPC1-7):G11C29/00 主分类号 G11C29/00
代理机构 代理人
主权项
地址