发明名称 PERFECTIONNEMENT AUX MEMOIRES NON VOLATILES PROGRAMMABLES PAR EFFET DIT DE PORTEURS CHAUDS ET EFFACABLES PAR EFFET TUNNEL
摘要
申请公布号 FR2769747(B1) 申请公布日期 2001.10.05
申请号 FR19970012903 申请日期 1997.10.15
申请人 SGS THOMSON MICROELECTRONICS SA 发明人 MOREAUX CHRISTOPHE
分类号 G11C16/04;(IPC1-7):G11C16/02 主分类号 G11C16/04
代理机构 代理人
主权项
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