III-V-Halbleiter und Verfahren zu seiner Herstellung

摘要

Bereitgestellt wird ein Verfahren zur Herstellung eines III-V-Halbleiters mit geringer Fehlordnungsdichte ohne Erhöhen der Dicke einer erneut gezüchteten Schicht, wobei das Verfahren ein Verfahren eines erneuten Wachstums unter Verwendung eines Maskenmusters einschließt, und die Einlagefehlordnungen in der erneut gezüchteten Schicht durch die auf dem Muster gebildeten Lücken beendet werden (Fig. 1).