在半导体基底上进行离子注入的方法

摘要

一种在半导体基底上进行离子注入的方法，包括步骤：在基底的至少一部分表面上形成一第一表面层，其中第一表面层的厚度最小比一厚度值t小１０％，该厚度值t这样确定：在晶格再生长方向之间选择一所需角度θ；决定离子注入于基底的距离Rp的一个投射范围；决定沿着一第一轴线方向的投射标准差△Rp；决定沿着一第二轴线方向的投射标准差△Ｙ；与解下列的方程式以求得t∶t＝Rp＋cosθ［［（△Ｙsinθ）＃+[2]＋（△Rpcosθ）＃+[2]］＃+[0.5]］；与经由第一表面层将离子注入基底内。$＃!

主权项

1、一种在半导体基底上进行离子注入的方法，其特征在于，其包括如下步骤：在基底的至少一部分表面上形成一第一表面层，其中第一表面层的厚度最小比一厚度值t小10％，该厚度值t这样确定：在晶格再生长方向之间选择一所需角度θ；决定离子注入于基底的距离Rp的一个投射范围；决定沿着一第一轴线方向的投射标准差ΔRp；决定沿着一第二轴线方向的投射标准差ΔY；与解下列的方程式以求得t：t=Rp+cosθ[[(ΔY sinθ)2+(ΔRp cosθ)2]0.5]；与经由第一表面层将离子注入基底内。