| 发明名称 | 在基体上形成膜的方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在基体上形成膜的方法和装置,该方法包括：在存在等离子体的条件下,以气体或蒸汽形式向室中供应含硅有机化合物和一种氧化剂,从而在该基体上沉积一种膜以及固化该膜,从而在膜中保留含碳基团。在特定的实施方案中,该固化是通过将该膜向H<SUB>2</SUB>等离子体暴露而实现的。 | ||
| 申请公布号 | CN1316099A | 申请公布日期 | 2001.10.03 |
| 申请号 | CN00801204.0 | 申请日期 | 2000.06.26 |
| 申请人 | 特利康控股有限公司 | 发明人 | K·格勒斯;K·比克曼;C·D·道普森;J·马克尼尔;A·P·威尔拜 |
| 分类号 | H01L21/312 | 主分类号 | H01L21/312 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 龙传红 |
| 主权项 | 1．一种在基体上形成膜的方法，它包括：(a)将基体定位在室中的载体上；(b)在存在等离子体的条件下，以气体或蒸汽形式向室中供应含硅有机化合物和一种氧化剂，从而在该基体上沉积一种膜；以及(c)固化该膜，从而在膜中保留含碳基团。 | ||
| 地址 | 英国格温特 | ||