发明名称 | 可降低旁瓣并提高信号接收效率的一次发射器 | ||
摘要 | 本发明提供了一种电介质型馈由部件上的发射部由波导管上的开口部处突出的一次发射器,它可以降低旁瓣、提高信号的接收效率。这种一次发射器在其一端部具有开口部的波导管,该波导管的内部保持有电介质型馈由部件,该电介质型馈由部件上的发射部由开口部处突出。还设置有包绕着波导管上的开口部的、呈具有底面形状的环状壁,该环状壁的深度设定为电波波长的大约1/4,环状壁上的底面宽度设定为电波波长的大约1/6~1/10。 | ||
申请公布号 | CN1315786A | 申请公布日期 | 2001.10.03 |
申请号 | CN01103879.9 | 申请日期 | 2001.03.19 |
申请人 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 发明人 | 窦元珠;佐藤桂一郎;今野智章;斋藤修司 |
分类号 | H04B7/15;H01P1/162 | 主分类号 | H04B7/15 |
代理机构 | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人 | 刘激扬 |
主权项 | 1.一种一次发射器,其特征在于具有在其一端部具有开口部的波导管,以及保持在该波导管内部处的、其发射部由所述开口部处突出的电介质型馈由部件,而且在所述波导管上的所述开口部外侧处还设置有其一端部呈开放状的、具有底面的环状壁,该环状壁的深度设定为电波波长的大约1/4。 | ||
地址 | 日本国东京都 |