| 主权项 |
1.一种用于ECR-CVD系统成长具低介电常数之介电解质之制造方法,即在ECR-CVD系统中,power=300W,压力为1-10mtorr下通入SiH4/O2/CF4=8/85/10sccm,在100℃-300℃下,长出厚度为240nm之介电质,最后在室温下堆叠一层厚度为40nm之ECR-SiO2(SiH4/O2=2/85sccm,300W,3mtorr)薄膜。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所用气体为SiH4.O2及CF4。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所用气体为C2F6.C3F8.C4F8或其他含C及F化合物。4.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中所用气体流量及功率分别为SiH4/O2/CF4=8/85/10sccm、Power= 300W。5.如申请专利范围第4项所述之制造方法,成长压力为3mtorr。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所用沉积之温度为200℃以上。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,ECR-SiO2所用气体为SiH4,O2。8.如申请专利范围第6项所述之制造方法,ECR-SiO2所用气体流量及功率分别为SiH4/O2=2/85sccm,power= 300W。9.如申请专利范围第7项所述之制造方法,ECR-SiO2成长之温度为室温。图式简单说明:第一图显示具有低介电常数同时具有良好之抗水性和可靠度之介电质的制造方法(a)power=300w,压力3mtoor,气体流量SiH4/O2/CF4=8/85/10sccm,温度为200℃(b)SiH4/O2/CF4=2/85sccm,RF power=300w,压力3mtoor第二图显示在不同温度所成长出来的介电质对热稳定度的关系图。1. 25℃ 2. 100℃ 3. 200℃ 4. 300℃第三图显示不同制程之介电质对水气吸收的关系图。1. 25℃ 2. 100℃ 3. 200℃ 4. 300℃ 5.(ECR-oxide) 6.沉积ECR-ohide/FxSiOy/ECR-oxide(40/240/40nm)第四图显示应力对时间的关系图。1. 25℃ 2. 100℃ 3. 200℃ 4. 300℃ 5.(ECR-oxide) 6.沉积ECR-oxide/FxSiOy/ECR-oxde(40/240/40nm) |
