| 主权项 |
1.一种与积体电路晶片一起使用的脚架,其包含:一有着修改表面来提供对镍的附着的铝或铝合金基底;以及一有着适合附着至铝的第一表面以及适合提供可焊接性的第二表面的延展性镍层。2.如申请专利范围第1项的脚架,其中该修改的铝或铝合金表面还适合于拉线结合。3.如申请专利范围第1项的脚架,其中该铝或合金基底的厚度在大约100到250m之间。4.如申请专利范围第1项的脚架,其中该镍层的厚度介于500及3000nm。5.一种与积体电路晶片一起使用的脚架,其包含:用有锌表面层的铝或铝合金做的一脚架基底;在该锌层上的第一层镍,该第一镍层沈积来与铝及锌相容;一层的镍与贵金属的合金在该第一镍层上;在该合金层上的第二层镍,该第二镍层沈积来适合接线弯曲及焊接附着;以及最外层的贵金属,藉之该脚架适合焊接附着至其他零件,适合拉线结合,以及适合防止腐蚀。6.如申请专利范围第5项的脚架,其中该贵金属层的厚度介于10到250nm之间。7.如申请专利范围第5项的脚架,其中该合金层的厚度介于25到75nm之间。8.如申请专利范围第5项的脚架,其中该贵金属从包含金、银、钯、铑及白金的群组中选出。9.如申请专利范围第5项的脚架,其中该焊接附着包含从包含锡/铅混合物,锡/铟,锡/银以及传导性的附着合成物之群组中选出的焊接材料。10.一种与积体电路晶片一起使用的脚架,其包含:用有锌表面层的铝或铝合金做的一脚架基底;在该锌层上的第一层镍,该第一镍层沈积来与铝及锌相容;在该第一层镍上的第二层镍,该第二镍层沈积来适合接线弯曲及焊接附着;以及最外层的贵金属,藉之该脚架适合焊接附着至其他零件,适合拉线结合,以及适合防止腐蚀。11.一种半导体装置,其包含:一脚架,包含供积体电路晶片用的晶片附着垫以及复数个接线段,其第一端点接近附着垫而其第二端点远离该附着垫;用有锌表面层的铝或铝合金做的,第一层的镍、镍与贵金属的合金层,第二层的镍与最外层的贵金属;一附着至该附着垫的积体电路晶片;互相连接该晶片与该接线段的该第一端点的结合拉线;以及该接线段的该第二端点适合于弯曲,适合焊接附着于其他零件,以及适合防止腐蚀。12.如申请专利范围第11项的装置,其中该结合拉线是从包含金、银、铜、铝与其之合金的群组中选出的。13.如申请专利范围第11项的装置,其中接触到该接线段的该近距离端点的此结合拉线包含以球结合、细线结合或楔形结合的焊接。14.如申请专利范围第11项的装置,还有包围该附着晶片的囊封材料,结合拉线及该接线段的近距端点,让该接线段的远方端点暴露。15.如申请专利范围第14项的装置,其中该囊封材料是从包含适合用来附着该脚架的以环氧基树脂为基础的铸模合成物群组中选出的。16.如申请专利范围第14项的装置,还包含该第二端点弯曲的接线段,藉之该接线段取得适合用来焊接附着至其他部份的形式。17.如申请专利范围第16项的装置,其中该线段弯曲并不会减弱该第二段端点的防止腐蚀。18.一种制造脚架的方法,包含步骤:提供有给积体电路晶片用的附着垫之铝脚架以及复数个接线段;以硷性溶液清洁该脚架;将该脚架浸入酸溶液中,以活化该脚架表面;将活化的脚架浸入锌盐酸电镀溶液中,藉之溶解任何的铝氧化物并形成锌层;将该脚架浸入无电极电镀法的镍电镀溶液中并沈积第一层的镍在该锌层上;电镀一包含镍与贵金属之合金的层;电镀第二层的镍,藉之使该接线段适合机械的弯曲;以及电镀一层贵金属,藉之使该接线段适合用来焊接附着到其他部份以及适合腐蚀。19.如申请专利范围第18项的方法,其中该第二镍层的电镀是在选择可产生具机械延展性镍层的电流密度中执行的。20.如申请专利范围第18项的方法,其中处理步骤没有时间延迟的连续执行,还包含中间的清洗步骤。21.一种制造脚架的方法,包含步骤:提供有供积体电路晶片用的附着垫的一铝脚架以及复数个接线段;以硷性溶液清洁该脚架;藉由浸入该脚架至酸溶液中活化该脚架表面;将活化的脚架浸入到锌盐酸电镀溶液中,藉之溶解任何的铝氧化物并形成锌层;将该脚架浸入无电极电镀法的镍电镀溶液中并沈积第一层的镍在该锌层上;电镀第二层的镍,藉之使该接线段适合机械的弯曲;以及电镀一层贵金属,藉之使该接线段适合用来焊接附着到其他部份以及防止腐蚀。图式简单说明:第一图为根据本发明第一具体实例由铝及连续的沈积层做的脚架部份的概要横切面图。第二图为根据本发明第二具体实例由铝及连续的沈积层做的脚架部份的概要横切面图。第三图为根据本发明焊接组装在基质上的具有脚架的半导体装置的概要及简化横切面图。 |
