| 主权项 |
1.一种于具有金属垫之基材上形成金属布线(redistribution line)与金属布垫(redistribution pad)的方法,该方法至少包含:形成一保护层于该基材上;蚀刻该保护层,以形成金属布线开口与金属布垫开口,该金属布垫开口系暴露部份该金属垫的表面,该金属布线开口系与该金属布垫开口相连,该金属布垫的线宽约为30至80m,该金属布线的线宽约为5至15m,此步骤所使用的蚀刻剂系为一至少包含C(1-x-y)ClyFx或C(1-x-y)HyFx的蚀刻气体;沈积一金属层于该保护层上,并填满该金属布线开口与金属布垫开口;及实施化学机械研磨法,以平坦化该金属层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之金属系为铜金属。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之保护层系为第一保护层与第二保护层组成,该第一保护层位于下层,该第二保护层位于上层。4.如申请专利范围第3项之方法,其中上述之第一保护层系为氧化层。5.如申请专利范围第3项之方法,其中上述之第二保护层系为氮化层。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之步骤于实施化学机械研磨法之后更包含:形成一绝缘层于该保护层上;蚀刻该绝缘层形成一金属凸块开口,以暴露部份该金属布线的表面;及形成一金属凸块(bump)下的冶金属(under bump metallurgy, UBM)于该金属凸块开口上。7.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之绝缘层系为聚亚胺层。8.如申请专利范围第6项之方法,于蚀刻该保护层的步骤中,系同时形成金属条开口于该金属布线之间,其系用以释放产生于该保护层中的应力。9.一种于具有金属垫之基材上形成金属布线(redistributionline)与金属布垫(redistribution pad)的方法,该方法至少包含:形成一保护层于该基材上;蚀刻该保护层,以形成金属布线开口、金属布垫开口与层金属桩开口,该金属布垫开口系暴露部份该金属垫之表面,该金属布线开口系与该金属布垫开口相连,该金属布垫开口的线宽约为30至80m,该金属布线开口的线宽约为5至15m,此步骤所使用的蚀刻剂系为一至少包含C(1-x-y)ClyFx或C(1-x-y)HyFx的蚀刻气体,而于蚀刻过移中同时于该金属布线开口与该金属布垫开口的侧壁产生一保护层;沈积一金属层于该保护层上,并填满该金属布线开口、金属布垫开口与该金属桩开口;及实施化学机械研磨法,以平坦化该金属层。10.如申请专利范围第9项之方法,其中上之金属系为铜金属。11.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之保护层系为第一保护层与第二保护层组成,该第一保护层位于下层,该第二保护层位于上层。12.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之第一保护层系为氧化层。13.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之第二保护层系为氮化层。14.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之步骤于实施化学机械研磨法之后更包含:形成一绝缘层于该保护层上;蚀刻该绝缘层形成金属凸块开口与散热凸块开口,该金属凸块开口系为于部份之该金属布线的表面上,该金属凸块开口系为于该金属桩的表面上;及形成一金属凸块(bump)下的冶金层(under bump metallurgy, UBM)与该散热凸块,该金属凸块下的冶金层系于该金属凸块开口上。15.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之绝缘层系为聚亚胺层。16.如申请专利范围第14项之方法,于蚀刻该保护层的步骤中,系同时形成金属条开口于该金属布线之间,其系用以释放产生于该保护层中的应力。17.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之金属桩与散热凸块系用以将基材内部的热能传导至基材的外部。图式简单说明:第一图为半导体基材的截面图,图中显示习知技术中沈积第一介电层于保护层之上的情形。第二图为半导体基材的截面图,图中显示习知技术中沈积一铝金属层于已被图案化之第一介电层上的情形。第三图为半导体基材的截面图,图中显示习知技术中形成一金属凸块下的冶金层于第二介电层中之开口的情形。第四图为半导体基材的截面图,图中显示本发明中形成铜布线开口与铜布垫开口的情形。第五图为半导体基材的截面图,图中显示本发明中形成金属凸块开口于部份之铜布线上的情形。第六图为半导体基材的截面图,图中显示本发明中形成金属凸块的情形。第七图为半导体基材的截面图,图中显示本发明之布局图,其中A-A*连线的截面图即为第六图。 |
