| 主权项 |
1.一种矽CVD装置,其使用三氯矽烷、二氯矽烷等卤化氢矽气体作为原料气体,而且于使用用以作为清洁气体之氯化氢的矽CVD装置,至反应炉入口处以不同之系统形成将原料气体导入反应炉之途径,与将清洁气体导入反应炉之途径。2.一种矽CVD装置,其使用三氯矽烷、二氯矽烷等卤化氢矽气体作为原料气体,而且于使用用以作为清洁气体之氯化氢的矽CVD装置,设置一加热装置,其可在温度高于不会使水分附着于该途径内之温度下,加热用以将原料气体与清洁气体导入反应炉之通用途径,至未达原料气体之分解温度。3.一种矽CVD装置,其使用三氯矽烷、二氯矽烷等卤化氢矽气体作为原料气体,而且于使用用以作为清洁气体之氯化氢的矽CVD装置,设置一导入途径,其可在温度高于不会使水分附着于该途径内之温度下,于将原料气体与清洁气体导入反应炉之通用途径,导入被加热至未达原料气体之分解温度的氢。图式简单说明:第一图所绘示为本发明矽CVD装置第1实施形态之要部系统图。第二图所绘示为反应炉入口处之原料气体导入途径与清洁气体导入途径设置例示剖面图。第三图所绘示为反应炉入口处之原料气体导入途径与清洁气体导入途径设置例示另一剖面图。第四图所绘示为本发明矽CVD装置第2实施形态之要部系统图。第五图所绘示为本发明矽CVD装置第3实施形态之要部系统图。第六图所绘示为矽CVD装置之一例示系统图。第七图所绘示为使用矽CVD装置形成矽单晶之一工程例示图。 |
