发明名称 研磨石
摘要 本发明提供一种研磨石,系在电沉积磨盘20的金属座板21上设有研磨粒层22,其中之金属镀层组织25内分散配置有超研磨粒26。在研磨粒层表面上,利用超研磨粒26形成之研磨粒凹部27A和研磨粒凸部27B系于直径方向交替配置,形成剖面正弦波状,使得研磨粒凹部27A和研磨粒凸部27B形成同心圆环状。藉由研磨粒凹部27A促进研磨浆的排出,同时,也减少被研磨面因研磨粒凸部27B之研磨所产生的损伤。亦可采用三层同心圆环状或是三层螺旋状之研磨粒层121作为电沉积磨盘20。该电沉积磨盘20或是盘体120对于CMP装置的研磨垫之调整特别合适。
申请公布号 TW457171 申请公布日期 2001.10.01
申请号 TW089113676 申请日期 2000.07.10
申请人 三菱麻铁里亚尔股份有限公司 发明人 高桥务;下前直树;赤田幸治
分类号 B24D3/00 主分类号 B24D3/00
代理机构 代理人 洪武雄 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼;陈昭诚 台北巿武昌街一段六十四号八楼
主权项 1.一种研磨石,系由结合组织中分散配置研磨粒而形成之研磨粒层装设在金属座板上而构成研磨石,其特征为:在前述研磨粒层表面上设有凸部和凹部。2.如申请专利范围第1项之研磨石,其中,前述研磨粒层表面之凸部和凹部系形成连续之线型。3.如申请专利范围第1项之研磨石,其中,前述研磨石为单层研磨石,而前述研磨粒层系在直径方向上配设复数层。4.如申请专利范围第3项之研磨石,其中,前述研磨粒层为形成复数层的环状或螺旋状。5.如申请专利范围第3项之研磨石,其中,前述研磨粒层的复数层为设定成三层以上。6.如申请专利范围第3项之研磨石,其中,前述研磨粒层的复数层,为内侧层宽于外侧层。7.如申请专利范围第3项之研磨石,其中,由纵剖面视之,前述研磨粒层,系在边缘部分施予去角加工者。8.如申请专利范围第3项之研磨石,其中,前述研磨粒层系使设在最外围层之超研磨粒的平均粒径小于设在内侧层的超研磨粒的平均粒径。9.如申请专利范围第3项之研磨石,其中,前述研磨粒层之最外围层和内侧层的高度系设定在彼此大致相等的高度上,同时,在前述最外围层的金属座板的高度高于前述内侧层金属座板的距离系设定在相当于超研磨粒平均粒径差。10.一种研磨石,系由金属结合组织以单层方式分散配置超研磨粒而形成之研磨粒层,使该研磨粒层设置在金属座板而构成研磨石,其特征为:与被研磨的相对移动方向略呈平行方向上延伸复数任意位置,而与该等任意位置之假想线交差的前述研磨粒层的研磨长度和系大致相同者。图式简单说明:第一图为本发明电沉积磨盘第1实施形态的俯视图。第二图为第一图所示电沉积磨盘之中央纵剖视图。第三图为第二图所示电沉积磨盘研磨粒层的部分放大图。第四图为利用电沉积磨盘进行研磨垫之研磨状态的剖面图。第五图为本发明电沉积磨盘第一变化例之俯视图。第六图为第五图所示电沉积磨盘研磨粒层之研磨粒凸部的A-A线剖视图。第七图为本发明电沉积磨盘第二变化例重要部位剖视图。第八图为本发明电沉积磨盘第三变化例重要部位剖视图。第九图为本发明电沉积磨盘第2实施例的部分俯视图。第十图为本发明电沉积磨盘第2实施例之部分俯视图。第十一图为本发明电沉积磨盘第3实施形态的重要部位剖视图。第十二图为本发明第4实施形态之电沉积磨盘之研磨粒层装设面的俯视图。第十三图为第十二图所示电沉积磨盘的X-X线之部分剖视图。第十四图为就第十二图所示电沉积磨盘以一点链线剖开半圆部分,在研磨垫回转方向上之研磨粒层位置以及工作量的关系图。第十五图为电沉积磨盘第5实施形态的重要部分俯视图。第十六图为电沉积磨盘第6实施形态的部分剖视图。第十七图为习知CMP装置重要部分的斜视图。第十八图为第十七图所示CMP装置所用的习知电沉积磨盘,(A)是电沉积磨盘的半圆状部分俯视图,(B)是(A)所示电沉积磨盘的A-A线剖视图。第十九图为第十八图所示电沉积磨盘之研磨粒层重要部位放大剖视图。第二十图为电沉积磨盘相对于研磨垫之调整状态的重要部位俯视图。第二十一图为对应于第二十图之电沉积磨盘的调整状况中,在研磨垫回转方向上的研磨粒层位置与工作量之关系图。
地址 日本
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