| 摘要 |
<p>반도체소자의 미세 패턴의 제조방법에 대해 개시되어 있다. 본 발명은 반도체기판 상부에 희생 절연막을 증착한 후에 희생 절연막 상부에 미세 패턴의 식각 마스크를 위한 감광막 패턴을 형성하고, 감광막 패턴의 양측면을 소정 부분 식각하여 그 선폭을 줄이고, 감광막 패턴을 식각 마스크로 삼아 희생 절연막을 식각해서 희생 절연막 패턴을 형성한 후에 감광막 패턴을 제거하고, 결과물에 도전막 또는 식각 선택비가 다른 희생 절연막을 증착하고 이를 식각해서 희생 절연막 패턴 측면에 미세한 패턴을 형성한다. 따라서, 본 발명은 통상의 노광 공정으로 형성된 패턴보다 2배 이상의 해상도를 가지는 미세 패턴을 형성하여 고가인 노광장비를 사용하지 않고서도 원하는 미세 패턴을 확보할 수 있어 제조 공정이 용이해진다.</p> |
