| 发明名称 | 磁头封接玻璃及用其制造的磁头 | ||
| 摘要 | 常规磁头封接玻璃因为易析晶、强度低,所以容易因切割和磨削磁头片时的冲击力而破裂,不利于制造近年来高密度记录所需磁道窄、隙宽短的磁头。用组成为13－17wt%SiO<SUB>2</SUB>,5－6.8wt%B<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>,70－77wt%PbO,0.1－5wt%Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>和ZnO至少其一,和0.1－3wt%Na<SUB>2</SUB>O和K<SUB>2</SUB>O至少其一的玻璃为前封接玻璃,并使用组成为3－9wt%SiO<SUB>2</SUB>,11－17wt%B<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>,66－77wt%PbO,3－15wt%Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>和ZnO至少其一的玻璃为后前封接玻璃,可高得率地制得高强度、高性能磁头。 | ||
| 申请公布号 | CN1315034A | 申请公布日期 | 2001.09.26 |
| 申请号 | CN00801198.2 | 申请日期 | 2000.06.29 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 长谷川真也;纸本彻也;鸟井秀雄 |
| 分类号 | G11B5/127;C03C8/24 | 主分类号 | G11B5/127 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 余颖 |
| 主权项 | 1．一种磁头封接玻璃，其组成为：13-17wt％SiO2,5-6.8wt％B2O3,70-77wt％PbO,0.1-5wt％Al2O3和ZnO至少其一，以及0.1-3wt％Na2O和K2O至少其一。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府门真市 | ||