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<p>본 발명은 숏 채널 효과에 영향을 받지 않으면서 두꺼운 게이트 절연막이 형성되는 소자에서의 핫 캐리어 특성을 개선시켜 소자의 신뢰성을 향상시키는데 적당한 반도체 소자의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 반도체 기판상에 서로 다른 두께의 게이트 절연막을 갖는 게이트 전극들을 형성하는 공정과, 게이트 전극들 양측의 기판내에 저농도의 불순물 이온을 주입하는 공정과, 게이트 절연막들중 상대적으로 두꺼운 게이트 절연막이 형성된 영역의 저농도 불순물 이온이 주입된 부분에 질소 이온을 주입하는 공정과, 게이트 전극들의 양측면에 사이드월 스페이서들을 형성하는 공정, 기판내에 고농도의 소오스/드레인 불순물 이온주입을 실시하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.</p> |
