| 摘要 |
一种具有8-形状储存节点之动态随机存取记忆体的制造方法,此动态随机存取记忆体形成于一半导体基底上,该方法包括:(1)形成一第一介电层于该基底上;(2)形成一第一导电层于该第一介电层上;(3)以该第一介电属为终点,图案化与蚀刻该第一介电层与该第一导电层,以形成一位元线接触窗与一储存节点接触窗；(4)于该第一介电层与该第一导电属侧壁形成一第一间隙壁;(5)以该第一间隙壁与该第一导电层为罩幕,蚀刻该第一介电层以形成一位元线接触窗开口与一储存节点接触窗开口;(6)去除该第一间隙壁与该第一导电层；(7)形成一第二导电层于该第一介电层上与该位元线接触窗开口及该储存节点开口中;(8)形成一第三导电层于该第二导电层上;(9)形成一第二介电层于该第四导电层上；(10)图案化与蚀刻该第二导电层、该第三导电层与该第二介电层以于该节点接触窗开口中形成一插塞，而于该位元线接触窗开口上形成一中间结构;(11)于该中间结构侧壁形成一第二间隙壁;(12)于该第二介电层、该第二间隙壁、该插塞与该第一介电层之上形成一第四导电层;(13)以该第四导电层为终点，图案化与蚀刻该位元线接触窗开口与该储存节点上之部份该第四导电层；(14)于该第四导电属侧壁形成一第三间隙壁;(15)以该第三间隙为罩幕，并以该中间结构为终点，蚀刻该第四导电层;以及(16)去除该第三间隙壁。 |
| 主权项 |
1.一种具有8-形状储存节点之动态随机存取记忆体的制造方法,形成于一半导体基底上,该方法包括:形成一第一介电层于该基底上;形成一第一导电层于该第一介电层上;图案化与蚀刻该第一介电层与该第一导电层,停止于该第一导电层中,以形成一位元线开口与一储存节点开口;于该第一介电层与该第一导电层侧壁形成一第一间隙壁;以该第一间隙壁与该第一导电层为罩幕,继续蚀刻该第一介电层以形成一位元线接触窗开口与储存节点接触窗开口;去除该第一间隙壁与该第一导电导;形成一第二导电层于该第一介电层上与该位元线接触穿开口及该储存节点接触窗口中;形成一第三导电层于该第二导电层上;形成一第二介电层于该第三导电层上;图案化与蚀刻该第二导电层、该第三导电层与该第二介电层以于该储存节点接触窗开口中形成一插塞,而于该位元线接触窗开口上形成一中间结构;于该中间结构侧壁形成一第二间隙壁;于该第二介电层、该第二间隙壁、该插塞与该第一介电层之上形成一第四导电层;图案化与蚀刻该位元线接触窗开口与该储存节点上之部份该第四导电层,且停止于该第四导电层中;于该第四导电层侧壁形成一第三间隙壁;以该第三间隙为罩幕,并以该中间结构蚀刻为终点,蚀刻该第四导电层,;以及去除该第三间隙壁。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一介电层材质包括氧化矽。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一导电层、该第二导电层与该第四导电层材质为多晶矽。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二介电层为氮化矽或氧化矽其中一种。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第三导电层材质包括矽化钨。图式简单说明:第一图至第十图绘示依照本发明一较佳实施例的一种于半导体基底上形成动态随机存取记忆体记忆胞的制造方法。第十一图A绘示依照本发明较佳实施例之下电极储存节点的透试图。第十一图B与第十一图C绘示习知一种堆叠储存节点与一种皇冠储存节点之透试图。 |
