| 主权项 |
1.一种半导体打线方法,该方法包含:将一导线一端焊接至一第一焊垫;再将该导线往上延伸一第一距离;再将该导线沿水平方向往该第一焊垫一侧移动一第二距离以进行一第一弯折及第二弯折;再将该导线往上延伸一第三距离,使该导线长度达预定距离,此时,在该第一距离及第二距离之间形成第一弯折,在该第二距离及第三距离之间形成第二弯折;及再将该导线末端移动至一第二焊垫上进行焊接;其中该导线连接该第一焊垫及第二焊垫,该导线之第一距离、第一弯折、第二距离、第二弯折及第三距离往该第一焊垫及第二焊垫一侧偏移,该偏移增强该导线的侧向强度以抵抗模流的冲力,该偏移亦形成该导线受模流时可变形的空间。2.依申请专利范围第1项之半导体打线方法,其中该第一距离及第二距离相等。3.依申请专利范围第1项之半导体打线方法,其中将该导线往上延伸一第一距离后,将该导线往该第一焊垫一侧及远离该第二焊垫的方向移动第二距离以进行该第一弯折及第二弯折。4.依申请专利范围第1项之半导体打线方法,其中将该导线往上延伸一第三距离后,再将该导线往该第二焊垫方向进行一第三弯折;再将该导线往上延伸一第四距离,使该导线长度达预定距离,此时,在该第三距离及第四距离之间形成第三弯折;再将该导线末端移动至该第二焊垫上进行焊接。5.依申请专利范围第1项之半导体打线方法,其中该第二距离投影至该第一焊垫及第二焊垫的平面上形成投影线,该第一焊垫及第二焊垫之间连接线与该投影线之间形成135度。6.一种半导体打线构造,该构造包含:一导线,其一端焊接于一第一焊点;一第一距离,其将该导线由该第一焊点往上垂直延伸形成;一第一弯折,其将该导线往第一焊点一侧偏移形成;一第二距离,其将该导线由该第一弯折往水平延伸形成;一第二弯折,其将该导线往第一焊点一侧偏移形成;及一第三距离,其将该导线由该第二弯折往上延伸一预定距离;该导线的另一端往一第二焊点焊接,使该导线连接于该第一焊点及第二焊点之间,其中该导线往该第一焊点及第二焊点之一侧偏移。7.依申请专利范围第6项之半导体打线构造,其中将该导线之第二距离往该第一焊垫一侧及远离该第二焊垫的水平方向延伸。8.依申请专利范围第6项之半导体打线构造,其中该导线之第三距离藉以一第三弯折连接于一第四距离,该第一距离、第二距离、第三距离及第四距离延伸一预定距离,使该导线连接于该第一焊点及第二焊点之间,其中该导线往该第一焊点及第二焊点之一侧偏移。9.一种半导体打线构造,该构造包含:一导线,其一端焊接于一第一焊点而另一端则焊接于一第二焊点;在受模流冲击前,该导线往该第一焊点及第二焊点之一侧偏移,尤其是该导线在靠近第一焊点的导线段产生偏移,而该导线在靠近第二焊点的导线段则位于第一焊点及第二焊点连线上;该导线受模流冲击时,该导线在靠近第一焊点的导线段往接近第一焊点及第二焊点连线的方向位移,而该导线在靠近第二焊点的导线段往远离第一焊点及第二焊点连线的方向位移,此时,该导线在靠近第一焊点的线段位于第一焊点及第二焊点连线的一侧,而该导线在靠近第二焊点的线段位于第一焊点及第二焊点连线的另一侧,使得该导线往平面[第一焊点及第二焊点所在平面]上投影时与第一焊点及第二焊点的连线产生交点。图式简单说明:第一图:半导体元件内导线分布之上视图;第二图:第一图半导体元件之局部放大图;第三图:习用半导体元件发生冲线之局部放大图;第四图:*专利公告第246245号积体电路晶片之双引线构造之上视图;第五图:第四图积体电路晶片之双引线构造之局部放大图;第六图:本发明较佳实施例半导体打线方法之毛细管嘴路径示意图;第七图:本发明路径B之上视图。第八图:本发明路径D之上视图。第九图:本发明较佳实施例半导体打线方法路径示意图;第十图:本发明较佳实施例半导体打线方法路径示意图;第十一图:本发明较佳实施例半导体打线方法路径示意图;第十二图:本发明较佳实施例半导体打线方法路径示意图;第十三图:本发明较佳实施例半导体打线方法路径示意图;第十四图:本发明较佳实施例导线构造之上视图;第十五图:本发明较佳实施例半导体打线方法应用于导体元件之上视图;第十六图:本发明较佳实施例未受模流前的导线构造之上视图;及第十七图:本发明较佳实施例在受到模流后的导线构造之上视图。 |
