发明名称 电子记忆体及设置有如此之记忆体的电子装置
摘要 电子记忆体(2)包含分别连带保护序列(Pl至 PN)之区块(Ml至MN)及控制存取记忆体区块之决定单元(Dl至DN)。保护序列包含至少两位元。为了保护记忆体区块防范可能改变植写码之实际行动,当相应之保护序列具相同逻辑状态时即关闭对区块之存取。
申请公布号 TW455765 申请公布日期 2001.09.21
申请号 TW089102542 申请日期 2000.02.15
申请人 艾姆微体电子-马林公司 发明人 文森 富坦斯
分类号 G06F12/14 主分类号 G06F12/14
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种包含至少一区块之电子记忆体,该区块与控制存取该区块内所含资料之保护装置有关,其中,该保护装置包含一至少具两位元保护序列及一决定单元,其中,当该序列位元之逻辑状态相同时,决定单元则关闭对该区块之存取。2.如申请专利范围第1项之电子记忆体,其中,该保护序列可被加以程式规划为唯读存取或读/写存取。3.如申请专利范围第1项之电子记忆体,其中,该保护序列是可程式化的。4.设置一电子电路以及一如申请专利范围第1项电子记忆体之电子装置。5.如申请专利范围第4项之电子装置,其中,该电子记忆体包含许多分别与许多保护序列有连带关系之区块。6.如申请专利范围第5项之电子装置,其中,该多数保护序列中之至少一部份保护序列是可程式化的,将该电子电路布置成允许一被授权之使用者或制造商可规划这可程式化保护序列,这作业由特定之保护装置加以保护。7.如申请专利范围第6项之电子装置,其中,该特定保护装置亦由一定义保护序列存取码之位元序列加以形成,当该存取码之逻辑状态相同时则禁止对该保护序列之任何存取。图式简单说明:第一图表示包含如本发明电子记忆体之电子装置之概要图;以及第二图叙述各记忆体区块之保护序列的可能状态及可能的存取型式。
地址 瑞士