发明名称 检视光罩图案分段曝光对准的方法
摘要 一种检视光罩图案分段曝光对准的方法,本发明系使用叠合方块(box-in-box)之光罩对准图案设计,并配合曝光及不曝光之设计,可节省空间进行多次数曝光。首先将光罩图案至少分割为第一光罩图案及第二光罩图案两部份来进行曝光,且各该光罩图案皆设有重叠区方便使两光罩图案重叠在一起。进行第一光罩图案之曝光,该第一光罩图案之重叠区边缘设置一不曝光区之第一对准图案;接续进行第二光罩图案之曝光,该第二光罩图案之重叠区边缘设置可与第一对准图案重叠之第二对准图案,且其图案系由两个大小不同之矩形图案重叠所组成之第二对准图案,位于小矩形内设计为曝光区,位于小矩形之外大矩形内之范围设计为不曝光区。显影完后,使用叠合仪器量测光罩间之对准误差,便可决定曝光图案接合的准确度。
申请公布号 TW455747 申请公布日期 2001.09.21
申请号 TW089112047 申请日期 1999.06.01
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 李春梅;梁德民;滕立功;曾明辉
分类号 G03F9/00 主分类号 G03F9/00
代理机构 代理人 郑煜腾 台北巿松德路一七一号二楼
主权项 1.一种检视光罩图案分段曝光对准的方法,其为检视晶粒上同一层图案经由二个以上光罩分别曝光组成后的对准精确度之方法,其中该同一层图案被分割成至少包括第一光罩及第二光罩,包括步骤:在该第一光罩之一侧设置一第一对准图案,其为由一矩形所组成的不透光区;在该第二光罩上设置一第二对准图案,该第二对准图案与该第一对准图案位于同一侧,其设置位置为使得当该第二光罩与该第一光罩对准时,该第一对准图案应与该第二对准图案完全重叠;该第二对准图案为由互相重叠的大矩形及小矩形所组成,该大矩形与该第一光罩之矩形大小相等,该小矩形位于该大矩形的正中央,该大矩形之内与该小矩形之外的区域为不透光区,该小矩形内为透光区;使用该第一光罩及第一对准图案对一晶圆特定光置进行第一次曝光;使用该第二光罩及第二对准图案对该晶圆特定位置进行第二次曝光以完成该光罩图案;检视显影后该第二对准图案之小矩形外缘与该第一对准图案之矩形的相对位置,而得到二次曝光的精确度。2.如申请专利范围第1项所述之一种检视光罩图案分段曝光对准的方法,其中该检视显影后第一对准图案与第二对准图案的相对位置系使用叠合量测仪器完成。3.一组对准图案,用以检视由二个以上的光罩所组成的同一层图案间的对准,其中该同一层图案为由包括第一图案的第一光罩及第二图案的第二光罩分别曝光显影所组成,该对准图案包括:第一对准图案,设于该第一光罩之一侧,为由一矩形所组成的不透光区;第二对准图案,设置于该第二光罩上,且使得当该第二光罩与该第一光罩对准时,该第一对准图案应与该第二对准图案完全重叠;该第二对准图案为由互相重叠的大矩形及小矩形所组成,该大矩形与该第一光罩之矩形大小相等,该小矩形位于该大矩形的正中央,该大矩形之内与该小矩形之外的区域为不透光区,该小矩形内为透光区;因此,检视显影后该第二对准图案之小矩形外缘与该第一对准图案之矩形的相对位置,而得知第一光罩及第二光罩显影后所形成的同一层图案的对准精确度。图式简单说明:第一图系显示本创作实施例中光罩A及光罩B及其边缘之对准图案设计之顶视示意图。第二图系显示本创作实施例中光罩A及光罩B及其边缘之对准图案设计经微影后将图案复制组合于基板之顶视示意图。第三图系显示本创作实施例中光罩A及光罩B之对准图案设计经微影步骤后,将图案复制组合于基板之剖面示意图。
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