发明名称 相位改变光学记录介质之初始化
摘要 本发明提供一种使用安装有半导体雷射装置之光学系统之相位改变光学资讯记录介质之初始化方法。该雷射装置之特征在于一特殊的频谱能量分布。在聚焦在垂直于引导轨方向中之该记录介质上之雷射能量之空间分布上,该雷射装置在空间分布之两端区域上之平均,其为空间分布之一半最大值上之宽度之10%,较小于在空间分布之一半最大值上之全宽度之区域之平均。
申请公布号 TW455869 申请公布日期 2001.09.21
申请号 TW088122812 申请日期 1999.12.23
申请人 理光股份有限公司 发明人 相原谦一;野田英治;金子裕治郎;井手由纪雄;服部恭士;近江文也;山田胜幸;中村有希;高桥典久
分类号 G11B7/24 主分类号 G11B7/24
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种相位改变光学资讯记录介质之初始化方法,包含之步骤为:提供一半导体雷射装置;提供一光学系统,包括该半导体雷射装置构成使用于初始化该相位改变光学资讯记录介质;和藉由从该半导体雷射装置发出之光束照射至少一部份该相位改变光学资讯记录介质;其中,在聚焦在垂直于引导轨方向中之该记录介质上之半导体雷射能量之空间分布上,该半导体雷射装置在空间分布之一半最大値上之宽度之在一端区域中之第一预定宽度和另一端区域中之第二预定宽度之平均小于在空间分布之一半最大値上之全宽度之中央区域之平均。2.如申请专利范围第1项之相位改变光学资讯记录介质之初始化方法,其中该第一预定宽度范围为空间分布之一半最大値上之宽度之0%至10%,和该第二预定宽度范围为空间分布之一半最大値上之宽度之90%至100%。3.如申请专利范围第1项之相位改变光学资讯记录介质之初始化方法,其中提供该半导体雷射装置之步骤包括抛光该半导体雷射装置之至少一活性层和反射层之一,实质垂直于雷射发射之方向,因此,在空间分布之一半最大値上之宽度范围从0%至10%和从90%至100%之雷射能量分布之至少一端区域中之雷射能量之平均小于在空间分布之一半最大値上之全宽度之中央区域中之雷射能量之平均。4.如申请专利范围第1项之相位改变光学资讯记录介质之初始化方法,进一步包含之步骤为:提供至少一光学装置在该光学系统中,以衰减从半导体雷射装置发出之光束,因此,在空间分布之一半最大値上之宽度范围从0%至10%和从90%至100%之雷射能量分布之至少一端区域中之雷射能量之平均小于在空间分布之一半最大値上之全宽度之中央区域中之雷射能量之平均。5.如申请专利范围第4项之相位改变光学资讯记录介质之初始化方法,其中该光学装置为光学滤波器。6.如申请专利范围第1项之相位改变光学资讯记录介质之初始化方法,其中该半导体雷射装置在该记录介质初始化前以约80%最大允许电能藉由充能至少约六小时而硬化,因此,在空间分布之一半最大値上之宽度范围从0%至10%和从90%至100%之雷射能量分布之至少一端区域中之雷射能量之平均小于在空间分布之一半最大値上之全宽度之中央区域中之雷射能量之平均。7.如申请专利范围第1项之相位改变光学资讯记录介质之初始化方法,其中每个碟转动垂直于引导轨之雷射装置位移之距离大于在该记录介质上之光束之频谱雷射能量分布之一半最大値上之宽度之一半,但小于该宽度。8.如申请专利范围第7项之相位改变光学资讯记录介质之初始化方法,其中该半导体雷射装置具有雷射放射,其在垂直于引导轨方向中,在该记录介质上,具有频谱能量分布在一半最大値上之至少80微米之宽度。图式简单说明:第一图为依照一实施例之相位改变光碟之横截面图;第二图为依照一实施例之使用在光碟之读写操作之光学系统之示意图;第三图为依照一实施例之由半导体雷射装置发出之光束之立体图;第四图A为依照一实施例之以雷射装置聚焦在一光碟上之雷射能量分布图;第四图B为以习知雷射装置聚焦在光碟上之雷射能量分布图;第五图为依照一实施例以雷射装置沿分布椭圆形之长轴在光碟上之雷射能量量测结果,其中雷射装置之缘表示受到抛光;第六图为以习知雷射装置沿分布椭圆形之长轴在光碟上之雷射能量量测结果;和第七图为依照另一实施例以雷射装置沿分布椭圆形之长轴在光碟上之雷射能量量测结果,其中在以允许电能充能后,使用习知雷射装置。
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