发明名称 Integrierter Optokoppler und Verfahren zu seiner Herstellung
摘要 Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen integrierten Optokoppler und ein Verfahren zu seiner Herstellung vorzuschlagen, bei denen eine direkte Integration in Silizium-Technologie mit geringem Aufwand erfolgen kann, wobei Einschränkungen bei der Anwendung des Optokopplers weitgehend vermieden werden sollen. DOLLAR A Erfindungsgemäß wird die Aufgabe für den Optokoppler dadurch gelöst, dass das Sendeelement (1) aus einer nanoclusterhaltigen dielektrischen Schicht (5) besteht und dass Empfangs- und Sendeelement (1; 2) aus einem monolithischen Block bestehen. Dabei können das Empfangs- und Sendeelement (1; 2) vertikal übereinander oder lateral nebeneinander angeordnet sein. Die erfindungsgemäße Lösung für das Verfahren beinhaltet, dass eine nanoclusterhaltige dielektrische Schicht durch Ionenstrahlsynthese erzeugt wird. Es ist auch möglich, dass eine nanoclusterhaltige SiO¶x¶-Schicht durch plasmagestützte Verfahren unter Variation der Stöchiometrie erzeugt und danach ausgeheilt wird.
申请公布号 DE10011258(A1) 申请公布日期 2001.09.20
申请号 DE20001011258 申请日期 2000.03.08
申请人 FORSCHUNGSZENTRUM ROSSENDORF E.V. 发明人 GEBEL, THORALF;SKORUPA, WOLFGANG;BORANY, JOHANNES VON;REBOHLE, LARS;BORCHERT, DIETMAR;FAHRNER, WOLFGANG R.
分类号 H01L31/12;H01L31/153;(IPC1-7):H01L31/16 主分类号 H01L31/12
代理机构 代理人
主权项
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