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发明名称 Halbleiterspeichervorrichtung mit einer Graben-Sram-Zelle und Herstellungsverfahren für diese
摘要
申请公布号 DE19841753(C2) 申请公布日期 2001.09.20
申请号 DE1998141753 申请日期 1998.09.11
申请人 LG SEMICON CO., LTD. 发明人 KANG, SEEN-SUK
分类号 G11C11/41;G11C11/412;H01L21/8244;H01L27/11;H01L29/786;(IPC1-7):H01L27/11;H01L21/824 主分类号 G11C11/41
代理机构 代理人
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