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Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit einem vertikalen Leistungshalbleiterschalter (1) und einer integrierten CMOS- oder Bipolarschaltung (3), wobei die integrierte CMOS- oder Bipolarschaltung (3) auf einer gegenüber einem ersten Halbleitermaterialbereich (4) durch eine vergrabene Isolationsschicht (2) isolierten Halbleiterinsel angeordnet ist, und der Leistungshalbleiterschalter (1) den ersten Halbleitermaterialbereich (4) als Teil seiner Struktur umfaßt. Eine solche Halbleiteranordnung soll es ermöglichen, auf dem gleichen Substrat eines vertikalen Leistungshalbleiters die zu isolierende Schaltung auch bei inversem Betrieb des Bauelementes, bei dem normalerweise der Shield mit Ladungsträgern überschwemmt wird, vor Einstreuungen sicher zu schützen, indem die vergrabene Isolationsschicht (2) von einem zwischen ihr und dem ersten Halbleitermaterialbereich (4) angeordneten zweiten Halbleitermaterialbereich (5) umschlossen ist, dessen Dotierung entgegengesetzt zu der des ersten Halbleitermaterialbereichs (4) ist, der zweite Halbleitermaterialbereich (5) über eine Schaltung (8) mit dem ersten Halbleitermaterialbereich (4) gekoppelt ist, diese Schaltung (8) das Potential des zweiten Halbleitermaterialbereichs (5) nicht unmittelbar mit dem Potential des ersten Halbleitermaterialbereichs (4) verbindet, und diese Schaltung (8) das Potential des zweiten Halbleitermaterialbereichs (5) auf Werte kleiner als solche, um die integrierte Schaltung (3) beeinflussen zu ...
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