| 主权项 |
1.一种半导体装置,其包含被封装于树脂封装物内 且具有电极端子之半导体晶片,该端子系线结合至 导体盖,其具有界定自该树脂封装物凸出之外连接 端子之曝露顶部之一端及界定包埋于该树脂封装 物内之小孔之另一端,其中; 该导体盖之该小孔具有以径向向外延伸之凸缘,其 使该导体盖固接至该树脂封装物。2.一种制备半 导体装置之方法,该方法包含之步骤系: 于金属基部之一侧内形成具有步阶式小孔之凹部, 该步阶式小孔具有比该凹部其它部份之直径大之 直径; 形成覆盖包含该步阶式小孔之该凹部之内表面之 金属膜,如此,该金属膜形成具有小孔之导体盖,该 小孔被供以藉由该凹部之该步阶式小孔界定之以 径向向外延伸之凸缘; 使该金属基材蚀刻以使该导体盖自该金属基部部 份曝露,如此,该导体盖之凸缘与该金属基部以位 于其间之一间隙分离之,而于非凸缘之部份内之该 导体盖保持被包埋于该金属基部内; 以插入其间之树脂层使半导体晶片置放于该金属 基部上; 以结合线使半导体晶片之电极端子线结合至导体 盖之内表面; 以封装树脂封装半导体晶片、结合线及导体盖,如 此,封装树脂充填导体盖而形成树脂块及导体盖凸 缘与金属基部间之间隙而造成凸缘使导体盖固接 至封装树脂;及 藉由溶解移除金属基部而形成自封装树脂凸出之 外接端子,该外接端子系由树脂块组成,该树脂块 具有以具有包埋于封装树脂内之凸缘之导体盖覆 盖之顶部。3.一种制备半导体装置之方法,该方法 包含之步骤系: 于金属基部之一侧形成凹部; 于该金属基部之一侧上形成电镀罩,该电镀罩具有 窗,该凹部可经该窗曝露出且其具有大于该凹部直 径之直径,如此,该窗界定全部或部份围绕该凹部 之开口端之该金属基部表面之周围区域; 形成覆盖该凹部内表面及周围区域之金属膜,如此 ,该金属膜形成形成导体盖,其具有藉由该周围区 域界定之以径向向外延伸之凸缘; 使该金属基部蚀刻以使该导体盖自该金属基部部 份曝露出,如此,该导体盖之凸缘与该金属基部以 其间之间隙分隔,而于非该凸缘之部份内之导体盖 系被包埋于该金属基部内; 以插入其间之树脂层使半导体晶片置于该金属基 部上; 以结合线使该半导体晶片之电极端子线结合至该 导体盖之内表面; 以封装树脂封装半导体晶片、结合线及导体盖,如 此,封装树脂充填导体盖而形成树脂块且充填导体 盖凸缘与金属基部间之间隙而造成凸缘使导体盖 固接至封装树脂;及 藉由溶解移除金属基部而形成自封装树脂凸出之 外接端子,该外接端子系由树脂块组成,该树脂块 具有以具有包埋于封装树脂内之凸缘之导体盖覆 盖之顶部。图式简单说明: 第一图系传统半导体装置之截面图,其包含包埋或 封装于树脂封装物内之半导体晶片,该树脂封装物 具有自其凸出而形成外接端子之树脂块; 第二图系第一图之半导体装置之底视图; 第三图(a)至第三图(e)系显示制备如第一图及第二 图所示之半导体装置之方法之截面图; 第四图(a)至第四图(j)系显示制备依据本发明较佳 实施例之半导体装置之方法步骤之截面图; 第五图系经由第四图(a)-第四图(j)之方法步骤制得 之具有导体盖之金属基部之平面图; 第六图(a)及第六图(b)系依据本发明之使用具有于 其上形成之导体盖之金属基部制备半导体装置之 进一步方法步骤; 第七图系显示依据本发明之半导体装置之截面图; 及 第八图(a)至第八图(g)系显示依据本发明之另一较 佳实施例制备半导体装置之方法步骤。 |
