METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING GROUP III-N, GROUP III-V-N AND METAL-NITROGEN COMPONENT STRUCTURES ON SI SUBSTRATES

摘要

Beschrieben wird ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung von Gruppe-III-N, Gruppe-III-V-N und Metall-Stickstoff Bauelementstrukturen auf Si-Substraten mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie. Das erfindungsgemässe Verfahren bzw. die entsprechende Vorrichtung zeichnen sich dadurch aus, dass eine Niedertemperaturkeim- und/oder Niedertemperaturpufferschicht aus einem Gruppe III-V Halbleiter und/oder einem Metall-Gruppe-V Verbindungshalbleiter sowie eine Bauelementschicht oder Schichtfolge aus Gruppe-III-N, Gruppe-III-V-N bzw. Metall-Gruppe-V Halbleitern in einer horizontalen Wachstumskammer hergestellt wird, dass minimale laterale Temperaturdifferenz unter 5 K, bevorzugt unter 1 K, eine einstellbare Deckentemperatur und/oder Wandtemperatur und eine Temperatur auf einem durch ein Gaspolster in Rotation versetzten Substrathalter eingehalten wird, wobei das Einlassen der Reaktionsgase so ausgeführt wird, dass keine ungewünschte Interaktion zwischen den Ausgangsgasen erfolgt, und dass eine Beobachtung des Prozesses ohne Störung des Wachstumsprozesses ausgeführt wird.