| 发明名称 |
FIELD EFFECT TRANSISTOR CONFIGURATION HAVING A HIGH LATCH-UP STRENGTH AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Feldeffekt-Transistoranordnung, bei der zur Erhöhung der Latch-up-Festigkeit das Sourcegebiet (6) in selbstjustierter Weise sich entlang eines Grabens (2) bis unter das hochdotierte Basisgebiet (8) erstreckt.
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| 申请公布号 |
WO0165606(A2) |
申请公布日期 |
2001.09.07 |
| 申请号 |
WO2001DE00617 |
申请日期 |
2001.02.14 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG;NEIDHART, THOMAS;SCHAEFFER, CARSTEN;SCHAGERL, GUENTER |
发明人 |
NEIDHART, THOMAS;SCHAEFFER, CARSTEN;SCHAGERL, GUENTER |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/331;H01L21/336;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/739;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/739 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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